Jiangsu Nanjing Zhongjiang Semiconductor IGBT vasega kaetud keraamilise substraadi industrialiseerimisprojekti põhiosa on lõppenud

28. märtsil lõpetati Zhongjiang Semiconductor IGBT vasega kaetud keraamilise substraadi industrialiseerimisprojekti peahoone ja käimas on sekundaarstruktuuri ehitus. Eeldatavasti jõuavad seadmed järk-järgult tehasesse paigaldamiseks aprilli lõpus ning valmivad ja tootmisse lähevad oktoobri lõpus. See projekt on üks Binjiangi arendustsooni 2024. aasta suuremaid munitsipaalprojekte. Selle ehitab Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd., mille koguinvesteering on 1 miljard jüaani. See tegeleb peamiselt tootmise, müügi ja uurimistööga ja uute materjalide keraamiliste vaskkattega substraatide väljatöötamine.