Renesas Electronics plant die Massenproduktion von SiC-Leistungshalbleitern im Jahr 2025

Renesas Electronics plant, im Jahr 2025 mit der Massenproduktion von SiC-Leistungshalbleitern zu beginnen. Diese Entscheidung ist eine Reaktion auf die wachsende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern mit hervorragender Energiesparleistung, die durch die Popularität von Elektrofahrzeugen (EVs) bedingt ist. Renesas Electronics wird die 6-Zoll-Wafer-Produktionslinie in seinem Werk in Gaoqi nutzen, in dem derzeit Leistungshalbleiter auf Siliziumbasis hergestellt werden. Renesas Electronics gab seinen Plan bekannt, im November 2022 in den Markt für SiC-Leistungshalbleiter einzusteigen. Dies ist das erste Mal, dass das Unternehmen seine Investitionsstrategie klar dargelegt hat.