Renesas Electronics planea producir en masa semiconductores de potencia de SiC en 2025

Renesas Electronics planea iniciar la producción en masa de semiconductores de potencia de SiC en 2025. Esta decisión responde a la creciente demanda de semiconductores de potencia de SiC con un excelente rendimiento de ahorro de energía provocada por la popularidad de los vehículos eléctricos (EV). Renesas Electronics utilizará la línea de producción de obleas de 6 pulgadas en su fábrica de Gaoqi, que actualmente produce semiconductores de potencia basados ​​en silicio. Renesas Electronics anunció su plan para ingresar al mercado de semiconductores de potencia de SiC en noviembre de 2022. Esta es la primera vez que declara claramente su estrategia de inversión.