Renesas Electronics plangt SiC Kraaft Halbleiteren am Joer 2025 ze masséieren

Renesas Electronics plangt d'Massproduktioun vu SiC Kraaft Halbleiteren am Joer 2025 unzefänken. Dës Entscheedung ass als Äntwert op d'wuessend Nofro fir SiC Kraaft Hallefleit mat exzellente energiespuerend Leeschtung duerch d'Popularitéit vun elektresche Gefierer (EVs) entstanen. Renesas Electronics wäert d'6-Zoll Wafer Produktiounslinn op senger Gaoqi Fabréck benotzen, déi momentan Silizium-baséiert Kraaft Hallefleit produzéiert. Renesas Electronics huet säi Plang ugekënnegt fir de SiC Power Semiconductor Maart anzegoen am November 2022. Dëst ass déi éischte Kéier datt et seng Investitiounsstrategie kloer uginn huet.