رنساس الکترونیکس قصد دارد در سال 2025 نیمه هادی های قدرت SiC را به تولید انبوه برساند.

رنساس الکترونیکس قصد دارد تولید انبوه نیمه هادی های قدرت SiC را در سال 2025 آغاز کند. این تصمیم در پاسخ به تقاضای فزاینده برای نیمه هادی های قدرت SiC با عملکرد عالی در صرفه جویی در انرژی است که به دلیل محبوبیت وسایل نقلیه الکتریکی (EVs) ایجاد شده است. Renesas Electronics از خط تولید ویفر 6 اینچی در کارخانه Gaoqi خود استفاده خواهد کرد که در حال حاضر نیمه هادی های قدرت مبتنی بر سیلیکون تولید می کند. Renesas Electronics برنامه خود را برای ورود به بازار نیمه هادی های SiC در نوامبر 2022 اعلام کرد. این اولین بار است که استراتژی سرمایه گذاری خود را به وضوح بیان می کند.