Jiangsu Chengsheng Technology rilascia il progetto del dispositivo ad alta potenza Qisi

Il 15 gennaio, Jiangsu Chengsheng Technology ha tenuto con successo la conferenza di lancio del progetto del dispositivo ad alta potenza Qisi a Gaoyou, Yangzhou, Jiangsu. Il progetto prevede di investire un totale di 900 milioni di yuan e produrre principalmente dispositivi ad alta potenza, SiC, confezionamento e test di moduli IGBT e altri prodotti. Il progetto è situato nella zona di sviluppo economico di Gaoyou e dispone di una fabbrica autocostruita di 30.740 metri quadrati, di cui 23.000 metri quadrati utilizzati per laboratori di produzione. Il progetto è realizzato in due fasi, con un investimento di 480 milioni di yuan nella prima fase. Si prevede che la produzione in serie avverrà nell'agosto di quest'anno, con una produzione annua di 330 milioni di dispositivi discreti e 1,2 milioni di moduli.