D'Haaptgebai vum Zhongjiang Semiconductor IGBT Projet ass ofgeschloss

D'Haaptgebai vum Zhongjiang Semiconductor's IGBT Kupferbedeckte Keramik Substrat Industrialiséierungsprojet gouf ofgeschloss a geet an déi sekundär Strukturkonstruktiounsstadium. Dëse Projet ass ee vun de grousse kommunale Projeten an der Jiangsu Provënz am Joer 2024. Et gëtt vun Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. gebaut mat enger Gesamtinvestitioun vun 1 Milliard Yuan. Et gëtt erwaart datt d'Ausrüstungsinstallatioun Enn Abrëll dëst Joer ufänkt a wäert Enn Oktober fäerdeg an a Produktioun gesat ginn.