Główny budynek projektu Zhongjiang Semiconductor IGBT jest zakryty

Główny budynek projektu industrializacji podłoża ceramicznego pokrytego miedzią IGBT firmy Zhongjiang Semiconductor został zamknięty i wchodzi w fazę budowy konstrukcji drugorzędnej. Projekt ten jest jednym z głównych projektów komunalnych w prowincji Jiangsu w 2024 r. Jest realizowany przez Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd., a łączna wartość inwestycji wynosi 1 miliard juanów. Przewiduje się, że montaż urządzeń rozpocznie się pod koniec kwietnia br., a jego zakończenie i oddanie do produkcji nastąpi pod koniec października.