Галоўны будынак праекта Zhongjiang Semiconductor IGBT закрыты

Галоўны будынак праекта індустрыялізацыі меднай керамічнай падкладкі IGBT кампаніі Zhongjiang Semiconductor завершаны і ўваходзіць у стадыю будаўніцтва другаснай структуры. Гэты праект з'яўляецца адным з буйных муніцыпальных праектаў у правінцыі Цзянсу ў 2024 годзе. Ён пабудаваны Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. з агульным аб'ёмам інвестыцый у 1 мільярд юаняў. Чакаецца, што мантаж абсталявання пачнецца ў канцы красавіка бягучага года і будзе завершаны і запушчаны ў вытворчасць у канцы кастрычніка.