ساختمان اصلی پروژه IGBT نیمه هادی Zhongjiang دارای سقف است

ساختمان اصلی پروژه صنعتی سازی زیرلایه سرامیکی با پوشش مسی IGBT شرکت Zhongjiang Semiconductor دارای سقف است و وارد مرحله ساخت سازه ثانویه می شود. این پروژه یکی از پروژه های بزرگ شهرداری در استان جیانگ سو در سال 2024 است. این پروژه توسط شرکت فناوری مواد جدید نانجینگ ژونگجیانگ با سرمایه گذاری کل 1 میلیارد یوان ساخته شده است. پیش بینی می شود نصب تجهیزات از اواخر فروردین ماه سال جاری آغاز و در پایان مهرماه تکمیل و به تولید برسد.