Die hoofgebou van Zhongjiang Semiconductor IGBT-projek is beperk

Die hoofgebou van Zhongjiang Semiconductor se IGBT-koperbedekte keramieksubstraat-industrialisasieprojek is beperk en betree die sekondêre struktuurkonstruksiestadium. Hierdie projek is een van die groot munisipale projekte in Jiangsu-provinsie in 2024. Dit word gebou deur Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. met 'n totale belegging van 1 miljard yuan. Daar word verwag dat die installering van toerusting aan die einde van April vanjaar sal begin en aan die einde van Oktober voltooi en in produksie gestel sal word.