Edificio principal proyecto IGBT Semiconductor Zhongjiang oime tapa

Edificio principal proyecto industrialización sustrato cerámico revestido de cobre IGBT Zhongjiang Semiconductor oreko tapa ha oikéva etapa de construcción estructura secundaria-pe. Ko proyecto ha'e peteîva umi proyecto municipal tuichavéva Provincia Jiangsu-pe ary 2024. Omopu'ã Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. orekóva inversión total 1.000 millones de yuanes. Oñeha'ãrõ instalación de equipo oñepyrûta abril pahápe ko arýpe ha oñemohu'ã ha oñemoî producción-pe octubre pahápe.