Expansão da produção nacional de substrato de carboneto de silício com produção anual de 400.000 peças

A fim de atender à demanda do mercado por materiais de substrato semicondutor de alto desempenho, Jiangxi Gangfeng Technology Co., Ltd. planeja investir na construção de um projeto de construção epitaxial de substrato semicondutor de terceira geração (Fase I) com uma produção anual de 400.000 peças . Espera-se que o projeto tenha uma capacidade de produção anual de 400.000 peças de epitaxia de substrato semicondutor de terceira geração após a conclusão.