Ampliación de la producción nacional de sustratos de carburo de silicio con una producción anual de 400.000 piezas.

Para satisfacer la demanda del mercado de materiales de sustrato semiconductor de alto rendimiento, Jiangxi Gangfeng Technology Co., Ltd. planea invertir en un proyecto de construcción epitaxial de sustrato semiconductor de tercera generación (Fase I) con una producción anual de 400.000 piezas. Se espera que el proyecto tenga una capacidad de producción anual de 400.000 piezas de epitaxia de sustrato semiconductor de tercera generación una vez finalizado.