Expansioun vun der Hausse Siliciumcarbid Substratproduktioun mat jährlechen Output vu 400.000 Stéck

Fir d'Nofro vum Maart fir High-Performance Semiconductor Substratmaterialien z'erreechen, plangt Jiangxi Gangfeng Technology Co., Ltd. an de Bau vun engem Drëtt-Generatioun Semiconductor Substrat Epitaxial Bauprojet (Phase I) mat engem jährlechen Output vu 400.000 Stécker ze investéieren . De Projet gëtt erwaart eng jährlech Produktiounskapazitéit vu 400.000 Stéck Drëtt-Generatioun Hallefleit Substrat-Epitaxie nom Ofschloss ze hunn.