Проширење домаће производње супстрата силицијум карбида са годишњом производњом од 400.000 комада

Да би се задовољила потражња тржишта за материјалима за полупроводничке супстрате високих перформанси, Јиангки Гангфенг Тецхнологи Цо., Лтд. планира да инвестира у изградњу пројекта епитаксијалне изградње треће генерације полупроводничких супстрата (Фаза И) са годишњом производњом од 400.000 комада . Очекује се да ће пројекат имати годишњи производни капацитет од 400.000 комада епитаксије треће генерације полупроводничког супстрата по завршетку.