A hazai szilícium-karbid szubsztrát gyártás bővítése 400 000 darab éves kibocsátással

A nagy teljesítményű félvezető hordozóanyagok iránti piaci kereslet kielégítése érdekében a Jiangxi Gangfeng Technology Co., Ltd. egy harmadik generációs félvezető szubsztrát epitaxiális építési projekt (I. fázis) megépítésébe tervez beruházást, amelynek éves kibocsátása 400 000 darab . A projekt várhatóan 400 000 darab harmadik generációs félvezető szubsztrát epitaxia éves gyártási kapacitással rendelkezik majd a befejezést követően.