Proširenje domaće proizvodnje supstrata od silicij karbida s godišnjom proizvodnjom od 400 000 komada

Kako bi se zadovoljila tržišna potražnja za poluvodičkim supstratnim materijalima visokih performansi, Jiangxi Gangfeng Technology Co., Ltd. planira investirati u projekt epitaksijalne konstrukcije poluvodičkih supstrata treće generacije (faza I) s godišnjom proizvodnjom od 400.000 komada. Očekuje se da će projekt po dovršetku imati godišnji proizvodni kapacitet od 400.000 komada epitaksije supstrata poluvodiča treće generacije.