Substrato condutor de carboneto de silício semicondutor de cristal seco de 8 polegadas foi desenvolvido com sucesso

Em maio de 2023, a Dry Crystal Semiconductor anunciou o desenvolvimento bem-sucedido de um substrato condutor de carboneto de silício de 8 polegadas. Esta conquista é de grande importância para promover o desenvolvimento da indústria de semicondutores de carboneto de silício.