Droge kristalhalfgeleider 8-inch geleidend siliciumcarbidesubstraat werd met succes ontwikkeld

In mei 2023 kondigde Dry Crystal Semiconductor de succesvolle ontwikkeling aan van een 8-inch geleidend siliciumcarbidesubstraat. Deze prestatie is van grote betekenis voor het bevorderen van de ontwikkeling van de siliciumcarbide-halfgeleiderindustrie.