Xinta Electronics nezávisle vyvinula 1200V/80mΩ SiC MOSFET zařízení a získala certifikaci automobilové třídy
1200V
AEC-Q
S
H3TRB
A
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
letní
auto
spolehlivost
zařízení
zařízení
zařízení
SiC
2023
EC
průmysl
auto
2024-12-25 15:12
62
V roce 2023 Xinta Electronics úspěšně vyvinula 1200V/80mΩ SiC MOSFET zařízení a získala kompletní sadu certifikace spolehlivosti automobilové třídy AEC-Q101 a posouzení spolehlivosti vysokonapěťového 960V H3TRB. Toto zařízení bylo úspěšně použito v dodavatelském řetězci nových energetických vozidel, aby napomohlo rozvoji průmyslu nových energetických vozidel.
