Xinta Electronics স্বাধীনভাবে 1200V/80mΩ SiC MOSFET ডিভাইস তৈরি করেছে এবং অটোমোটিভ গ্রেড সার্টিফিকেশন পেয়েছে

2023 সালে, Xinta Electronics সফলভাবে একটি 1200V/80mΩ SiC MOSFET ডিভাইস তৈরি করেছে এবং AEC-Q101 স্বয়ংচালিত গ্রেড নির্ভরযোগ্যতা সার্টিফিকেশন এবং উচ্চ-ভোল্টেজ 960V H3TRB নির্ভরযোগ্যতা মূল্যায়নের একটি সম্পূর্ণ সেট পেয়েছে। নতুন এনার্জি ভেহিকল সাপ্লাই চেইনে এই ডিভাইসটি সফলভাবে ব্যবহার করা হয়েছে নতুন এনার্জি ভেহিকল ইন্ডাস্ট্রির উন্নয়নে সাহায্য করার জন্য।