Projekt produkcyjny IGBT klasy samochodowej Donghai Semiconductor

1 grudnia firma Wuxi Kehong Environmental Engineering Technology Co., Ltd. ogłosiła formularz oceny oddziaływania na środowisko „projektu produkcji 20 milionów tranzystorów IGBT i specjalnych diod do zastosowań motoryzacyjnych rocznie”. Projekt zlokalizowany jest pod adresem Zhongtong East Road 88, Shuofang Street, dzielnica Xinwu w mieście Wuxi. Całkowita wartość inwestycji wynosi 10 milionów juanów, w tym inwestycja w ochronę środowiska o wartości 50 000 juanów. Zajmuje się głównie produkcją półprzewodników urządzenia dyskretne. Po zakończeniu projektu skala produkcji całej fabryki będzie wynosić: roczna produkcja 200 milionów dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych, 73 milionów układów scalonych, 30 milionów urządzeń mocy VDMOS, 190 milionów wielorzędowych urządzeń mocy SMD oraz IGBT i specjalne diody 20 milionów.