Праект вытворчасці аўтамабільных паўправадніковых IGBT Donghai Semiconductor

1 снежня кампанія Wuxi Kehong Environmental Engineering Technology Co., Ltd. абвясціла форму ацэнкі ўздзеяння на навакольнае асяроддзе «Праект вытворчасці Donghai Semiconductor 20 мільёнаў аўтамабільных IGBT і спецыяльных дыёдаў». Праект размешчаны па адрасе: вуліца Шуофан, вуліца Сіньву, 88. Агульны аб'ём інвестыцый складае 10 мільёнаў юаняў, у тым ліку 50 000 юаняў. Ён у асноўным займаецца вытворчасцю паўправаднікоў дыскрэтныя прылады. Пасля завяршэння праекта маштаб вытворчасці ўсёй фабрыкі складзе: гадавы выпуск 200 мільёнаў паўправадніковых дыскрэтных прылад, 73 мільёны інтэгральных схем, 30 мільёнаў сілавых VDMOS-прылад, 190 мільёнаў шматрадных SMD-прылад харчавання, аўтамабільных IGBT і спецыяльныя дыёды 20 млн.