Zhixin Microelectronics und das Suzhou Automotive Research Institute der Tsinghua-Universität haben gemeinsam ein gemeinsames Forschungs- und Entwicklungszentrum für Siliziumkarbid gegründet

Im März 2023 unterzeichnete Zhixin Microelectronics eine Vereinbarung mit dem Suzhou Automotive Research Institute der Tsinghua-Universität zum gemeinsamen Aufbau eines „Silicon Carbide Joint R&D Center“, um die Forschung und Anwendung der SiC-Technologie im Bereich der Automobilelektronik zu fördern und die Produktion der dritten Generation zu beschleunigen Halbleiter-SiC-Implementierung und kundenspezifische Entwicklung von Online-Frontend-Anwendungen.