Zhixin Microelectronics y el Instituto de Investigación Automotriz de Suzhou de la Universidad de Tsinghua establecieron conjuntamente un centro conjunto de I+D de carburo de silicio
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2024-12-25 18:26
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En marzo de 2023, Zhixin Microelectronics firmó un acuerdo con el Instituto de Investigación Automotriz de Suzhou de la Universidad de Tsinghua para construir conjuntamente un "Centro conjunto de investigación y desarrollo de carburo de silicio" para promover la investigación y aplicación de la tecnología SiC en el campo de la electrónica automotriz y acelerar la producción de tercera generación. Semiconductor SiC Implementación y desarrollo personalizado de aplicaciones front-end online.
