Podpis projekta za sestavljeni polprevodniški material iz silicijevega karbida okrožja Mianchi

Uspešno sta bila podpisana projekt sestavljenega polprevodniškega silicijevega karbidnega materiala okrožja Mianchi in projekt celovite uporabe substrata galijevega arzenida za trdne odpadke, s skupno naložbo v višini 1 milijarde juanov. Projekt bo zgradil industrializirano proizvodno linijo za obdelavo prevodnega substrata iz silicijevega karbida z letno proizvodnjo 25.000 kosov ter projekt predelave in proizvodnje kristalov galijevega arzenida in substrata z letno proizvodnjo 400.000 kosov.