Bolant plangt 1 Milliard Yuan z'investéieren fir e 6-8-Zoll SiC Substratprojet mat engem jährlechen Output vun 250.000 Stécker ze bauen

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. plangt 1 Milliard Yuan ze investéieren fir e 6-8-Zoll Siliziumcarbid (SiC) Substratprojet mat engem jährlechen Output vun 250.000 Stécker an der Yanling Town, Danyang City, Zhenjiang City, Jiangsu Provënz ze bauen. Dëse grousse Projet wäert nei Vitalitéit an der lokaler wirtschaftlecher Entwécklung sprëtzen a staarken Impuls an d'Entwécklung vun der Gewalt SiC Industrie sprëtzen.