Η Bolant σχεδιάζει να επενδύσει 1 δισεκατομμύριο γιουάν για την κατασκευή ενός έργου υποστρώματος SiC 6-8 ιντσών με ετήσια παραγωγή 250.000 τεμαχίων

Η Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. σχεδιάζει να επενδύσει 1 δισεκατομμύριο γιουάν για την κατασκευή ενός έργου υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 6-8 ιντσών με ετήσια παραγωγή 250.000 τεμαχίων στην πόλη Yanling, στην πόλη Danyang, στην πόλη Zhenjiang, στην επαρχία Jiangsu. Αυτό το μεγάλο έργο θα δώσει νέα ζωτικότητα στην τοπική οικονομική ανάπτυξη και θα δώσει ισχυρή ώθηση στην ανάπτυξη της εγχώριας βιομηχανίας SiC.