Bolant namerava vložiti 1 milijardo juanov za izgradnjo projekta 6-8-palčnega substrata SiC z letno proizvodnjo 250.000 kosov

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. namerava vložiti 1 milijardo juanov v gradnjo projekta substrata iz 6-8-palčnega silicijevega karbida (SiC) z letno proizvodnjo 250.000 kosov v mestu Yanling, mestu Danyang, mestu Zhenjiang, provinci Jiangsu. Ta velik projekt bo vlil novo vitalnost lokalnemu gospodarskemu razvoju in dal močan zagon razvoju domače industrije SiC.