Bolant plánuje investovať 1 miliardu juanov na vybudovanie 6-8-palcového projektu substrátu SiC s ročnou produkciou 250 000 kusov

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. plánuje investovať 1 miliardu juanov na vybudovanie 6-8-palcového substrátového projektu z karbidu kremíka (SiC) s ročnou produkciou 250 000 kusov v meste Yanling, mesto Danyang, mesto Zhenjiang, provincia Jiangsu. Tento veľký projekt vnesie novú vitalitu do miestneho ekonomického rozvoja a dodá silný impulz rozvoju domáceho priemyslu SiC.