Bolant плануе інвеставаць 1 мільярд юаняў у стварэнне праекта падкладкі SiC памерам 6-8 цаляў з гадавой прадукцыйнасцю 250 000 штук

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. плануе інвеставаць 1 мільярд юаняў у стварэнне праекта падкладкі з карбіду крэмнію (SiC) памерам 6-8 цаляў з гадавой прадукцыйнасцю 250 000 штук у горадзе Яньлін, горадзе Даньян, горадзе Чжэньцзян, правінцыя Цзянсу. Гэты буйны праект надасць новую жыццёвую сілу мясцоваму эканамічнаму развіццю і надасць моцны імпульс развіццю айчыннай прамысловасці SiC.