Bolant planira uložiti 1 milijardu juana za izgradnju projekta SiC supstrata od 6-8 inča s godišnjom proizvodnjom od 250 000 komada

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. planira uložiti 1 milijardu juana u izgradnju projekta supstrata od 6-8 inča silicij karbida (SiC) s godišnjom proizvodnjom od 250.000 komada u gradu Yanling, gradu Danyang, gradu Zhenjiang, provinciji Jiangsu. Ovaj veliki projekt unijet će novu vitalnost u lokalni gospodarski razvoj i dati snažan poticaj razvoju domaće SiC industrije.