Bolant kavatseb investeerida 1 miljard jüaani, et ehitada 6-8-tollise SiC substraadi projekt, mille aastane toodang on 250 000 tükki

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. plaanib investeerida 1 miljard jüaani, et ehitada 6–8-tollise ränikarbiidi (SiC) substraadi projekt, mille aastane toodang on 250 000 tükki Yanlingi linnas Danyangi linnas, Zhenjiangi linnas Jiangsu provintsis. See suur projekt lisab kohalikku majandusarengusse uut elujõudu ja annab tugeva tõuke kodumaise ränikarbiiditööstuse arengusse.