Bolant ມີແຜນທີ່ຈະລົງທຶນ 1 ຕື້ຢວນເພື່ອສ້າງໂຄງການຍ່ອຍສະຫຼາຍ SiC 6-8 ນິ້ວທີ່ມີຜົນຜະລິດປະຈໍາປີ 250,000 ຕ່ອນ.

89
Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd ວາງແຜນທີ່ຈະລົງທຶນ 1 ຕື້ຢວນເພື່ອສ້າງໂຄງການ substrate silicon carbide (SiC) 6-8 ນິ້ວທີ່ມີຜົນຜະລິດປະຈໍາປີຂອງ 250,000 ຕ່ອນໃນ Yanling ເມືອງ Danyang ເມືອງ Zhenjiang ແຂວງ Jiangsu. ໂຄງການຂະໜາດໃຫຍ່ນີ້ຈະເອົາພະລັງຊີວິດໃໝ່ເຂົ້າໃນການພັດທະນາເສດຖະກິດຂອງທ້ອງຖິ່ນ ແລະ ຍູ້ແຮງການພັດທະນາອຸດສາຫະກຳ SiC ພາຍໃນປະເທດ.