ბოლანტი გეგმავს 1 მილიარდი იუანის ინვესტიციას 6-8 დიუმიანი SiC სუბსტრატის პროექტის ასაშენებლად, წლიური გამომუშავებით 250,000 ცალი.

Zhejiang Bolante Semiconductor Technology Co., Ltd. გეგმავს 1 მილიარდი იუანის ინვესტიციას 6-8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის (SiC) სუბსტრატის პროექტის ასაშენებლად, წლიური გამომუშავებით 250,000 ცალი Yanling Town, Danyang City, Zhenjiang City, Jiangsu Province. ეს დიდი პროექტი ახალ სიცოცხლისუნარიანობას შესძენს ადგილობრივ ეკონომიკურ განვითარებას და ძლიერ ბიძგს შესძენს შიდა SiC ინდუსტრიის განვითარებას.