Η Dajiang Semiconductor επενδύει 3,8 δισεκατομμύρια γιουάν σε νέο έργο SiC

Το νέο έργο SiC της Dajiang Semiconductor ανακοινώθηκε πρόσφατα στον επίσημο ιστότοπο της Επαρχιακής Επιτροπής Ανάπτυξης και Μεταρρύθμισης της Zhejiang, με συνολική επένδυση 3,8 δισεκατομμυρίων γιουάν. Μετά την ολοκλήρωση του έργου, θα έχει ετήσια παραγωγική ικανότητα 2,4 εκατομμυρίων μονάδων ισχύος SiC.