Dajiang Semiconductor investeerib uude SiC projekti 3,8 miljardit jüaani

Dajiang Semiconductori uuest SiC projektist teatati hiljuti Zhejiangi provintsi arengu- ja reformikomisjoni ametlikul veebisaidil, mille koguinvesteering on 3,8 miljardit jüaani. Pärast projekti lõppu on selle aastane tootmisvõimsus 2,4 miljonit SiC jõumoodulit.