长光华芯2024年四大技术突破
DFB
VCSEL
边发射
芯片
性能
长光华芯
功率
光芯片
激光
激光器
半导体
效率
2024-12-26 10:20
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长光华芯在提升半导体激光芯片性能方面取得重大突破,包括EEL多结单管芯片功率超132W,EEL 780nm宽条DFB激光器功率突破10W,VCSEL多结VCSEL电光效率达74%,以及VCSEL单模VCSEL功率效率刷新世界纪录。这些成果均已在国际知名期刊上发表。
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