Kerui Semiconductor mempromosikan pembangunan pengemasan SiC dan pengujian jalur produksi

Kerui Semiconductor mempromosikan peningkatan semikonduktor generasi ketiga dan pengemasan perangkat listrik lainnya serta jalur produksi pengujian, dan meluncurkan proyek tahap pertama pengemasan proses dasar IGBT dan SiC dan jalur produksi pengujian pada bulan Juni. Dilaporkan bahwa setelah proyek tersebut dioperasikan, diharapkan dapat mencapai nilai produksi tahunan sebesar 80 juta yuan dan meningkatkan kapasitas produksi sebesar 25%. Pesanan perusahaan tahun ini sudah jenuh, dan produknya sebagian besar dikirim ke pelanggan di wilayah Pearl River Delta.