北京大學團隊開發超過1萬伏特的增強型GaN基功率元件

北京大學的研究團隊提出新型主動鈍化晶體管，成功開發了超過1萬伏特的增強型GaN基功率元件。這項技術有效解決了高場陷阱效應和電場聚集效應的問題，實現了低動態導通電阻特性。