북경대학교 팀, 10,000V를 초과하는 강화 모드 GaN 기반 전력 장치 개발

북경대 연구팀이 새로운 형태의 능동 보호 트랜지스터를 제안해 1만V를 초과하는 강화 모드 GaN 기반 전력소자 개발에 성공했다. 이 기술은 고전계 트랩 효과 및 전계 집중 효과 문제를 효과적으로 해결하고 낮은 동적 온저항 특성을 달성합니다.