Das Team der Universität Peking entwickelt ein GaN-basiertes Leistungsgerät im Anreicherungsmodus mit mehr als 10.000 Volt

Das Forschungsteam der Peking-Universität entwickelte erfolgreich ein GaN-basiertes Leistungsgerät im Anreicherungsmodus mit mehr als 10.000 Volt, indem es einen neuen Typ eines aktiven Passivierungstransistors vorschlug. Diese Technologie löst effektiv die Probleme von Hochfeldeinfangeffekten und elektrischen Feldkonzentrationseffekten und erzielt niedrige dynamische Einschaltwiderstandseigenschaften.