Une équipe de l'Université de Pékin développe un dispositif d'alimentation basé sur GaN en mode amélioration dépassant 10 000 volts

L’équipe de recherche de l’Université de Pékin a développé avec succès un dispositif de puissance basé sur GaN en mode amélioration dépassant 10 000 volts en proposant un nouveau type de transistor à passivation active. Cette technologie résout efficacement les problèmes des effets de piège à champ élevé et des effets de concentration de champ électrique, et permet d'obtenir de faibles caractéristiques de résistance dynamique.