Het team van de Universiteit van Peking ontwikkelt een GaN-gebaseerd voedingsapparaat met een versterkingsmodus van meer dan 10.000 volt

Het onderzoeksteam van de Universiteit van Peking heeft met succes een GaN-gebaseerd voedingsapparaat met een versterkingsmodus van meer dan 10.000 volt ontwikkeld door een nieuw type actieve passivatietransistor voor te stellen. Deze technologie lost effectief de problemen op van valeffecten met een hoog veld en concentratie-effecten van elektrische velden, en bereikt lage dynamische aan-weerstandskarakteristieken.