Un equipo de la Universidad de Pekín desarrolla un dispositivo de potencia basado en GaN en modo mejorado que supera los 10.000 voltios

El equipo de investigación de la Universidad de Pekín desarrolló con éxito un dispositivo de potencia basado en GaN en modo mejorado que supera los 10.000 voltios al proponer un nuevo tipo de transistor de pasivación activa. Esta tecnología resuelve eficazmente los problemas de los efectos de trampa de alto campo y los efectos de concentración del campo eléctrico, y logra características de baja resistencia dinámica.