Il team dell'Università di Pechino sviluppa un dispositivo di potenza basato su GaN in modalità potenziata che supera i 10.000 volt

Il gruppo di ricerca dell'Università di Pechino ha sviluppato con successo un dispositivo di potenza basato su GaN in modalità potenziamento che supera i 10.000 volt proponendo un nuovo tipo di transistor di passivazione attiva. Questa tecnologia risolve efficacemente i problemi degli effetti di trappola ad alto campo e degli effetti di concentrazione del campo elettrico e raggiunge caratteristiche di bassa resistenza dinamica.