Η ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου αναπτύσσει συσκευή τροφοδοσίας με βάση τη λειτουργία βελτίωσης GaN άνω των 10.000 βολτ

Η ερευνητική ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου ανέπτυξε με επιτυχία μια συσκευή τροφοδοσίας GaN σε λειτουργία βελτίωσης που υπερβαίνει τα 10.000 βολτ προτείνοντας έναν νέο τύπο τρανζίστορ ενεργητικής παθητικοποίησης. Αυτή η τεχνολογία επιλύει αποτελεσματικά τα προβλήματα των φαινομένων παγίδας υψηλού πεδίου και των επιδράσεων συγκέντρωσης ηλεκτρικού πεδίου και επιτυγχάνει χαρακτηριστικά χαμηλής δυναμικής αντίστασης.