Zespół Uniwersytetu w Pekinie opracowuje urządzenie zasilające oparte na GaN w trybie wzmocnienia przekraczające 10 000 woltów

Zespół badawczy Uniwersytetu w Pekinie z powodzeniem opracował urządzenie zasilające oparte na GaN w trybie wzmocnienia przekraczające 10 000 woltów, proponując nowy typ aktywnego tranzystora pasywacyjnego. Technologia ta skutecznie rozwiązuje problemy związane z efektami pułapek wysokiego pola i efektami koncentracji pola elektrycznego, a także pozwala uzyskać niską dynamiczną charakterystykę rezystancji.