A Pekingi Egyetem csapata 10 000 voltnál nagyobb teljesítményű GaN-alapú tápegységet fejleszt

0
A Pekingi Egyetem kutatócsoportja egy új típusú aktív passzivációs tranzisztor javaslatával sikeresen kifejlesztett egy 10 000 voltot meghaladó teljesítménynövelő üzemmódú GaN-alapú tápegységet. Ez a technológia hatékonyan oldja meg a nagy térerejű csapda hatások és az elektromos térkoncentrációs hatások problémáit, és alacsony dinamikus bekapcsolási ellenállást ér el.